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HBM

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HBM是一種基于3D堆疊工藝的dram內存芯片，由多層dram堆疊

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2025-07-01 16:20 來自 Business Korea

【消息稱三星與英偉達討論12層HBM 3E供應可能性】《科創板日報》1日訊，三星DS部門負責人全永鉉(Jun Young-hyun)日前訪問英偉達美國總部，討論為GB300 Blackwell Ultra提供12層HBM 3E潛在合作事宜。英偉達計劃今年年底開始出貨Blackwell Ultra，其已經與SK海力士和美光敲定了12層HBM3E的初步供應合同。但英偉達正在推遲敲定2026年供應量的最終合同，業內分析，若三星能成為12層HBM3E供應商，則英偉達有望在與SK海力士、美光的價格談判中獲得優勢。 (Business Korea)

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2025-07-01 15:19

【SK海力士：有望向英特爾AI芯片Jaguar Shores供應HBM4】《科創板日報》1日訊，SK海力士表示，正與英特爾在大帶寬、大容量內存方面合作，有望向英特爾Jaguar Shores AI顯卡加速器供應HBM4。

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2025-06-24 12:21

【機構：預期英偉達于下半年推出RTX PRO 6000】《科創板日報》24日訊，TrendForce集邦咨詢預期，英偉達RTX PRO 6000將于今年下半年推出，該機構分析，英偉達的存儲器采購策略，為針對不同產品類別多元化供應商布局，HBM主要由SK海力士提供、美光科技為第二供應商，在LPDDR類別以美光科技為主要合作伙伴，GDDR則仰賴三星供應。

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2025-06-20 14:01 來自韓國經濟日報

《科創板日報》20日訊，SK海力士首款定制HBM預計將于2026年下半年推出，目前已將英偉達、微軟和博通作為其主要客戶。 (韓國經濟日報)

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2025-06-17 14:38

【SK海力士開始準備為亞馬遜提供12層HBM3E】《科創板日報》17日訊，據ZDNet Korea，SK海力士已開始準備為亞馬遜提供12層HBM3E。亞馬遜計劃最早在今年年底或明年發布下一代AI芯片Trainium 3。與上一代相比，計算性能提高了一倍，能效提高了約40%。總內存容量144GB，集成了4個12層HBM3E。

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2025-06-13 12:55

【AMD MI350采用三星電子和美光HBM】《科創板日報》13日訊，AMD表示，Instinct MI350系列采用了三星電子和美光的HBM產品。Instinct MI350系列采用了8個36GB HBM3E內存，具有12Hi堆疊配置和8Gbps性能，內存總容量為288GB，帶寬為8TB/s。

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2025-06-12 12:45

【集邦咨詢：HBM4將在2026年第二季度量產】財聯社6月12日電，在日前集邦咨詢主辦的“TSS 2025半導體產業高層論壇”上，集邦咨詢分析師許家源指出，HBM迭代快速，預計HBM3e將占據2025年出貨份額超過90%，2026年HBM4將開始滲透入市場，供貨商預計2026年第二季度量產。SK海力士繼續位居HBM主力供應商，美光快速追趕；英偉達維持HBM消費市場最大份額，預計HBM供需仍處平衡。另外，HBM占整體內存產能比重持續提升下，排擠效應正重塑內存行業供給格局，預計2025年內存平均售價持續受HBM供需變化所影響。另外，集邦咨詢分析師龔瑞驕指出，近年來SiC產業經歷了大規模的產能擴張，6英寸SiC晶圓已經供過于求，8英寸轉型進程有所減速，以中國車企為代表的全球汽車業者高度重視SiC供應鏈布局。GaN正處于大規模應用的臨界點，由中低功率消費電子逐漸走向高功率應用，汽車、AI數據中心、人形機器人等場景蘊藏巨大潛力。

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2025-06-12 10:27 來自 businesspost

【三星未通過英偉達第3次HBM3E認證計劃9月重新認證】《科創板日報》12日訊，三星電子6月進行的第3次英偉達12層HBM3E產品認證未獲通過，下一次認證定于9月進行。而美光已將HBM3E的良率提高到70%以上。 (businesspost)

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2025-06-11 09:25 來自臺灣工商時報

【三星DRAM第17產線正推動制程轉換配合HBM與下一代DRAM量產】《科創板日報》11日訊，三星位于韓國華城的DRAM第17產線（Line 17）正推動制程轉換，預計從DDR4轉向14/16納米等先進制程，配合HBM與下一代DRAM量產。三星將以平澤P4廠為主軸，自2025年下半年起進行大規模設備擴充投資，以提升成本競爭力。 (臺灣工商時報)

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2025-06-05 08:39

【機構：SK海力士第一季度首次超越三星成全球最大DRAM生產商】《科創板日報》5日訊，SK海力士今年第一季度在全球DRAM市場的占有率首次超過三星電子。根據市場研究機構Omdia的數據，由于DRAM合同價格下跌和HBM出貨量下降，第一季度全球DRAM銷售額總計263.3億美元，環比下降9%。在整體市場下滑的情況下，SK海力士的市占率從去年第四季度的36%上升到今年第一季度的36.9%，超過了三星電子，后者的市占率從38.6%降至34.4%。從銷售額來看，SK海力士第一季度的銷售額為97.2億美元，而三星電子銷售額為91億美元。這是自1992年三星電子成為全球最大DRAM生產商以來，SK海力士首次占據首位。

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2025-06-03 14:09

【機構：2025年第一季度DRAM產業營收為270.1億美元預計二季度各主要應用合約價將止跌回升】財聯社6月3日電，根據TrendForce集邦咨詢最新調查，2025年第一季由于一般型DRAM（Conventional DRAM）合約價下跌，加上HBM出貨規模收斂，DRAM產業營收為270.1億美元，季減5.5%。在平均銷售單價方面，由于Samsung（三星）更改HBM3e產品設計，HBM產能排擠效應減弱，促使下游業者去化庫存，導致多數產品合約價延續2024年第四季以來的跌勢。展望2025年第二季，隨著PC OEM和智能手機業者陸續完成庫存去化，并積極生產整機，將帶動位元采購動能升溫，原廠出貨位元顯著季增。價格方面，預期各主要應用的合約價皆將止跌回升，預估一般型DRAM合約價，以及一般型DRAM和HBM合并的整體合約價均將上漲。

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2025-05-28 10:19 來自 Hankooki

【三星目標今年7~8月通過英偉達HBM3E驗證】《科創板日報》28日訊，三星目標在2025年7~8月通過英偉達的12層HBM3E品質驗證測試。此前，三星傳針對HBM3E使用的第四代10納米級（1a）DRAM進行結構重整，不過英偉達以速度未達標準為由，未給予供貨批準。韓國業界人士指出，若三星2025年無法供應12層HBM3E給英偉達，其2026年的HBM策略將勢必要大幅修正，甚至可能放棄該HBM3E產品，轉而專注第六代HBM（HBM4）。 (Hankooki)

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2025-05-27 09:54 來自韓國Financial News

【三星調整HBM團隊組織架構押寶定制化HBM】《科創板日報》27日訊，消息稱，三星電子DS（設備解決方案）部門負責人全永鉉正在進行內部組織大幅調整。他將三星HBM開發團隊細分為標準HBM、定制化HBM、HBM產品工程（PE）及HBM封裝等團隊。相關人士透露，三星內部對“拯救HBM”的需求備感迫切，尤其押寶定制化HBM。 (韓國Financial News)

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2025-05-27 08:36

【盤前題材挖掘】①中國信通院發布軟件開發智能體標準，AI智能體進入爆發前夜。②人工智能對存儲芯片提出更高要求，HBM芯片需求強勁增長。③情感陪伴需求巨大，AI陪伴玩具有望率先商業化落地。

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2025-05-27 07:57 來自財聯社

人工智能對存儲芯片提出更高要求 HBM芯片需求強勁增長

①據報道，目前三星12層HBM3E產品，基本通過英偉達的DRAM單芯片認證，現階段正在進行成品認證程序。
②根據TrendForce集邦咨詢最新研究，鑒于HBM3e剛推出時的溢價比例約為20%，預計制造難度更高的HBM4溢價幅度將突破30%。

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2025-05-26 10:30 來自 Deal Site

【三星HBM3E基本通過英偉達單芯片認證成品認證或延遲到下半年完成】《科創板日報》26日訊，目前三星12層HBM3E產品，基本通過英偉達的DRAM單芯片認證，現階段正在進行成品認證程序。三星原本預計6~7月完成認證，但因延遲，實際結果或等到2025年下半年出爐。 (Deal Site)

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2025-05-22 15:58

【SEMI：2025年Q1全球半導體資本支出增長27%】《科創板日報》22日訊，根據SEMI最新報告，2025年第一季度全球半導體資本支出環比下降7%，但同比增長27%，這得益于對先進邏輯、高帶寬存儲器（HBM）和支持AI應用的先進封裝技術的持續投資。SEMI指出，與內存相關的資本支出同比增長57%，而非內存領域的支出同期增長了15%。

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2025-05-22 14:38

【韓國政府向美方提交意見書呼吁避免征收芯片關稅】財聯社5月22日電，據美國《聯邦公報》21日消息，韓國政府向美方提交官方意見書指出，從韓國對美出口存儲芯片、從美進口邏輯芯片和芯片制造設備來看，兩國在芯片產業上保持互補關系。若美國對韓產芯片加征關稅，這恐將破壞韓美互補關系，從而拖累美國芯片產業發展。韓國政府強調，韓產高帶寬內存（HBM）和高新DRAM芯片在美國擴大人工智能（AI）基礎設施建設中不可或缺，并呼吁美國政府從戰略角度謹慎對待相關問題。韓國政府認為，考慮到部分韓企正在美國興建芯片工廠，其在短期內難免進口芯片制造設備和材料，美方關稅恐將給韓企對美投資產生負面影響，呼吁給予韓國“特殊照顧”。

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2025-05-22 12:20

【機構：HBM4新規格拉高制造門檻預期溢價幅度逾30%】財聯社5月22日電，根據TrendForce集邦咨詢最新研究，HBM技術發展受AI Server需求帶動，三大原廠積極推進HBM4產品進度。由于HBM4的I/O（輸入/輸出接口）數增加，復雜的芯片設計使得晶圓面積增加，且部分供應商產品改采邏輯芯片架構以提高性能，皆推升了成本。鑒于HBM3e剛推出時的溢價比例約為20%，預計制造難度更高的HBM4溢價幅度將突破30%。

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2025-05-19 14:48

《科創板日報》19日訊，美光預計，12Hi HBM3E良率在第三季度末達到穩定水平，其出貨量將最早于8月超過8Hi HBM3E。

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