據報道，目前三星12層HBM3E產品，基本通過英偉達的DRAM單芯片認證，現階段正在進行成品認證程序。三星原本預計6~7月完成認證，但因延遲，實際結果或等到2025年下半年出爐。

人工智能的飛速發展對存儲芯片提出了更高要求，HBM（高帶寬內存）應運而生。HBM憑借其高帶寬、高容量、低功耗和小尺寸等顯著優勢，成為高性能計算領域的關鍵存儲技術。此前，美光科技高管表示，市場對其用于人工智能模型的HBM芯片的需求強勁，公司2025自然年的所有HBM芯片都已售罄。此外，根據TrendForce集邦咨詢最新研究，HBM技術發展受AI Server需求帶動，三大原廠積極推進HBM4產品進度。由于HBM4的I/O（輸入/輸出接口）數增加，復雜的芯片設計使得晶圓面積增加，且部分供應商產品改采邏輯芯片架構以提高性能，皆推升了成本。鑒于HBM3e剛推出時的溢價比例約為20%，預計制造難度更高的HBM4溢價幅度將突破30%。

據財聯社主題庫顯示，相關上市公司中：

回天新材在HBM領域，公司產品導熱凝膠已在部分行業客戶處供貨，正逐步實現國產替代，相關產品產能可以滿足客戶需求。

鼎龍股份表示，存儲芯片HBM技術涉及到的部分工藝環節與公司布局的部分半導體先進封裝材料應用領域存在很強的相關性，如公司的半導體封裝PI、臨時鍵合膠產品均可以用于HBM工藝中。