財聯(lián)社6月12日電，在日前集邦咨詢主辦的“TSS 2025半導體產(chǎn)業(yè)高層論壇”上，集邦咨詢分析師許家源指出，HBM迭代快速，預計HBM3e將占據(jù)2025年出貨份額超過90%，2026年HBM4將開始滲透入市場，供貨商預計2026年第二季度量產(chǎn)。SK海力士繼續(xù)位居HBM主力供應商，美光快速追趕；英偉達維持HBM消費市場最大份額，預計HBM供需仍處平衡。另外，HBM占整體內(nèi)存產(chǎn)能比重持續(xù)提升下，排擠效應正重塑內(nèi)存行業(yè)供給格局，預計2025年內(nèi)存平均售價持續(xù)受HBM供需變化所影響。另外，集邦咨詢分析師龔瑞驕指出，近年來SiC產(chǎn)業(yè)經(jīng)歷了大規(guī)模的產(chǎn)能擴張，6英寸SiC晶圓已經(jīng)供過于求，8英寸轉(zhuǎn)型進程有所減速，以中國車企為代表的全球汽車業(yè)者高度重視SiC供應鏈布局。GaN正處于大規(guī)模應用的臨界點，由中低功率消費電子逐漸走向高功率應用，汽車、AI數(shù)據(jù)中心、人形機器人等場景蘊藏巨大潛力。