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第三代半導體
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第三代半導體材料主要以碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)、氧化鋅(ZnO)、金剛石、氮化鋁(AlN)為代表的寬禁帶半導體材料。
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2025-07-02 18:29
【廈門最大碳化硅項目首臺設備提前搬入】
《科創板日報》2日訊,據中建三局一公司,近日,該公司承建的廈門士蘭微8英寸碳化硅功率器件芯片制造生產線項目(一期)首臺設備提前搬入。該項目是2025年福建省及廈門市重點建設項目也是廈門最大的碳化硅項目。
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2025-07-02 15:24
【納微半導體將采用力積電0.18微米制程生產GaN產品】
《科創板日報》2日訊,納微半導體(Navitas)今日宣布,與力積電建立戰略合作伙伴關系,將采用力積電8寸0.18微米制程生產氮化鎵(GaN)產品。
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2025-07-02 15:17
【臺積電或將停產GaN 產線轉做先進封裝】
《科創板日報》2日訊,消息稱,臺積電為專注在高成長市場,近期已陸續縮減在成熟制程的資源,并有意淡出氮化鎵(GaN)市場,GaN產品所在的晶圓五廠僅供應至2027年7月1日,之后將改做先進封裝使用。
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2025-06-30 20:03
【香港首座8英寸碳化硅晶圓廠獲批】
《科創板日報》30日訊,香港特區政府創新科技及工業局轄下的創新科技署宣布,杰立方半導體(香港)有限公司提交的“新型工業加速計劃”申請已獲評審委員會支持。該項目計劃在香港興建一座第三代半導體碳化硅(SiC)晶圓生產設施。
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2025-06-24 08:27
【盤前題材挖掘】
①特斯拉啟動Robotaxi試運營,機構稱Robotaxi商業化奇點已至。②頭部企業中試樣品陸續落地,固態電池板塊有望迎來密集催化。③AI數據中心+AR眼鏡驅動,碳化硅行業有望快速增長。
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2025-06-24 08:17 來自 財聯社
AI數據中心+AR眼鏡驅動 碳化硅行業有望快速增長
光大證券指出,隨著AI數據中心、AR眼鏡等行業的增長,碳化硅行業將隨之快速增長。國內碳化硅襯底企業持續投資擴張產能,有望持續擴大市場份額。
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2025-05-29 11:47
【全國最大碳化硅晶圓廠在武漢投產】
財聯社5月29日電,據“湖北發布”,長飛先進武漢基地首批碳化硅晶圓日前正式投產,這是目前國內規模最大的碳化硅半導體基地,可貢獻國產碳化硅晶圓產能的30%,有望破解我國新能源產業缺芯困局。碳化硅是新一代信息技術的基礎材料,被稱為新能源時代的“技術心臟”,是全球爭相搶占的科技制高點。這座總投資超200億元的半導體超級工廠,一期項目聚焦第三代半導體功率器件研發與生產,可年產36萬片6英寸碳化硅晶圓,產能躋身全球前列,達產后可滿足144萬輛新能源汽車的制造需求,推動我國第三代半導體實現從“跟跑”到“并跑”的關鍵跨越。
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2025-05-22 16:22 來自 財聯社 馮軼
英偉達重磅合作“點金”第三代半導體 港股氮化鎵龍頭放量大漲逾14%
①英偉達重磅合作“點金”第三代半導體概念,市場為何關注?
②港股氮化鎵龍頭放量大漲逾14%,公司核心業務有何看點?
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2025-05-22 10:05
【第三代半導體概念持續走強 海特高新漲?!?/strong>
財聯社5月22日電,第三代半導體概念持續走強,海特高新封漲停,此前希荻微、中恒電氣漲停,派瑞股份、欣銳科技、星徽股份、臺基股份、富滿微等漲幅靠前。消息面上,納微半導體公司宣布與英偉達合作開發下一代800V高壓直流(HVDC)架構,為包括Rubin Ultra在內的GPU提供支持的"Kyber"機架級系統供電。納微的氮化鎵和碳化硅技術將在這一合作中發揮關鍵作用。受此消息刺激,納微盤后價格暴漲195%。
富滿微
-1.89%
臺基股份
-7.95%
希荻微
-2.70%
海特高新
-1.49%
星徽股份
-0.91%
中恒電氣
-3.19%
欣銳科技
+0.79%
派瑞股份
-1.02%
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2025-05-21 19:29 來自 科創板日報 鄭遠方
165億美元市值跌剩零頭,碳化硅龍頭隕落
①公司碳化硅襯底全球市占率第一。
②為了體現對碳化硅業務的重視其決心改名,豈料改名后股價卻一路下跌。
③碳化硅襯底領域,中國廠商正在快速崛起。
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2025-04-28 23:32 來自 財聯社記者 劉夢然
異質結“賣鏟人”高光難續:邁為股份存貨和應收賬款雙高 計提減值超5億元|財報解讀
①邁為股份2024年計提資產減值準備5.24億元,主要包括應收賬款壞賬準備3.88億元,存貨跌價損失1.36億元等;
②公司存貨和應收賬款雙高,今年一季度,公司繼續計提資產減值準備1.80億元。
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2025-03-19 08:35
【盤前題材挖掘】
①英偉達將開發基于AI的6G無線技術,“AI+6G”云網融合市場前景廣闊。②SpaceX帶回四名滯留宇航員,商業航天市場前景不斷拓寬。③新能源汽車+光伏儲能+數據中心拉動,碳化硅器件市場規模將快速增長。
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2025-03-19 07:51 來自 財聯社
新能源汽車+光伏儲能+數據中心拉動 碳化硅器件市場規模將快速增長
①3月18日,安森美官微宣布推出其第一代基于1200V碳化硅(SiC)金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)的SPM 31智能功率模塊(IPM)系列。
②光大證券指出,受益于新能源汽車、光伏儲能、數據中心等拉動,碳化硅器件市場規模將快速增長。
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2025-03-15 06:57 來自 證券日報
【應用場景不斷擴充 國產碳化硅大規模“上車”可期】
財聯社3月15日電,隨著碳化硅產業逐步邁入8英寸時代,企業競爭也將愈發白熱化。多位專家在日前舉行的2025功率半導體制造及供應鏈高峰論壇上表示,對于已經進入汽車等高端市場的產業鏈玩家而言,過硬的產品質量和穩定的供應能力才是長期立足發展之本。受益于成本下降,國產碳化硅加速“上車”,一方面促進其在新能源汽車等行業的應用。但另一方面,價格的下降也讓這個行業的競爭加劇。碳化硅是目前半導體行業中最景氣的賽道之一。市場研究機構Yole數據顯示,碳化硅市場規模在2023年達到27.46億美元,預計到2029年將達到98.73億美元,年復合增長率約為24%。 (證券日報)
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2025-03-01 16:26
【三安光電碳化硅襯底已向國外頭部AR終端廠商送樣驗證】
《科創板日報》1日訊,《科創板日報》記者獲悉,三安光電與國外頭部AR終端廠商、國內光學元件代工廠等重點客戶緊密合作,目前已向多家客戶送樣驗證,產品持續迭代。據了解,碳化硅折射率約為2.7,優于傳統玻璃等材料,且具備耐高溫跟散熱優勢。據三安光電相關人士表示,一片6英寸碳化硅襯底能夠制作2副AR眼鏡、8英寸襯底則對應3-4副,從預估的2024年全年出貨量150萬臺來計算,折算成6英寸襯底約對應75萬片/年的需求,市場規模為10.8億元。(記者 郭輝)
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2025-03-01 09:33 來自 財聯社 若宇
“A+H”上市持續升溫!近兩個多月14家A股上市公司公告籌劃赴港上市或已分拆子公司在港上市,鋰電龍頭“寧王”在列
①據不完全統計,截至發稿,去年12月中旬以來有14家A股上市公司籌劃赴港上市或已分拆子公司在港上市(附表);
②其中,寧德時代等在內的5家公司公布赴港計劃并已正式遞表港交所。
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2025-02-27 16:05
【安意法半導體碳化硅晶圓廠今日正式通線】
《科創板日報》27日訊,今日,三安光電與意法半導體在重慶合資設立的安意法半導體碳化硅晶圓廠正式通線。據介紹,預計該項目將在2025年四季度實現批量生產,項目規劃全面達產后將年產約48萬片的8英寸碳化硅晶圓。在重慶高新區西永微電子產業園內,三安光電還同期配套一條年產48萬片的8英寸碳化硅襯底生產線,用于安意法碳化硅晶圓廠生產供應,已于2024年9月通線投產。以上兩大項目合計投資達300億元。三安光電總經理、安意法董事長林科闖在通線儀式上表示,安意法半導體碳化硅晶圓廠用時僅16個月就正式通線,是雙方攜手并進、強強聯合的共同成果,安意法未來和發展非常值得期待。(記者 郭輝)
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2025-02-20 10:58
【富加鎵業4英寸VB法氧化鎵襯底性能達到國際先進水平】
財聯社2月20日電,據杭州光學精密機械研究所消息,杭州光機所孵育企業杭州富加鎵業在垂直布里奇曼(VB)法氧化鎵晶體生長領域取得重大突破,經測試單晶質量達到國際先進水平,現同步向市場推出晶體生長設備及工藝包。測試結果表明,使用富加鎵業設備生長出的4英寸VB晶體內無孿晶,單晶襯底XRD半高全寬(FWHM)優于50arcsec,與導模法制備的氧化鎵單晶襯底質量相當,性能達到國際先進水平;襯底表面粗糙度(Ra)小于0.2nm,彎曲度(Bow)達到1.8μm,翹曲度(warp)達到9.3μm,總厚度偏差(TTV)<10.0μm,相關加工指標達到4英寸碳化硅襯底產品要求。VB法裝備的成功研制,標志著公司在技術創新上取得了重大突破,是公司于2024年5月在國際上率先突破導模法“一鍵長晶”技術后又一里程碑事件。資料顯示,富加鎵業為衢州發展(600208)參股的高科技投資企業。
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2025-02-02 22:08 來自 新華社
【我國在太空成功驗證第三代半導體材料制造的功率器件】
財聯社2月2日電,以碳化硅(SiC)為代表的第三代半導體材料是我國制造業轉型升級的驅動因素和重要保證。記者從中國科學院微電子研究所獲悉,我國在太空成功驗證了首款國產碳化硅(SiC)功率器件,第三代半導體材料有望牽引我國航天電源升級換代。據中國科學院微電子研究所劉新宇研究員介紹,功率器件是實現電能變換和控制的核心,被譽為“電力電子系統的心臟”,是最為基礎、應用最為廣泛的器件之一。隨著硅基功率器件的性能逼近極限,以碳化硅(SiC)為代表的第三代半導體材料,以其獨特優勢可滿足空間電源系統高能效、小型化、輕量化需求,對新一代航天技術發展具有重要戰略意義。
業內專家認為,我國在太空成功驗證第三代半導體材料制造的功率器件,標志著在以“克”為計量的空間載荷需求下,碳化硅(SiC)功率器件有望牽引空間電源系統的升級換代,為未來我國在探月工程、載人登月、深空探測等領域提供新一代功率器件。 (新華社)
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2025-01-22 09:17
【中國首款高壓抗輻射碳化硅功率器件研制成功】
《科創板日報》22日訊,中國科學院微電子研究所宣布,該院劉新宇、湯益丹團隊和中國科學院空間應用工程與技術中心劉彥民團隊等開展合作,共同研制出首款國產高壓抗輻射碳化硅 (SiC) 功率器件及其電源系統,已成功通過太空第一階段驗證并實現其在電源系統中的在軌應用。
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