3月18日，安森美官微宣布推出其第一代基于1200V碳化硅（SiC）金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）的SPM 31智能功率模塊（IPM）系列。

碳化硅是一種由碳和硅元素組成的化合材料，具有較高硬度和優(yōu)異的物理化學性能。碳化硅材料擁有耐高壓、耐高頻、高熱導性、高溫穩(wěn)定性、高折射率等特點，可作為諸多行業(yè)實現(xiàn)降本增效的關鍵性材料。碳化硅襯底可被廣泛應用于功率半導體器件、射頻半導體器件以及光波導、TF-SAW濾波器、散熱部件等下游產(chǎn)品中，主要應用行業(yè)包括xEV、光伏及儲能系統(tǒng)、電力電網(wǎng)、軌道交通、通信、AI眼鏡、智能手機、半導體激光等。光大證券指出，受益于新能源汽車、光伏儲能、數(shù)據(jù)中心等拉動，碳化硅器件市場規(guī)模將快速增長。國內(nèi)碳化硅襯底企業(yè)持續(xù)投資擴張產(chǎn)能，有望持續(xù)擴大市場份額。

據(jù)財聯(lián)社主題庫顯示，相關上市公司中：

三安光電表示，湖南三安的碳化硅襯底在AI/AR眼鏡光波導領域與國內(nèi)外終端廠商、光學元件廠商緊密合作，目前已向多家客戶送樣驗證。

天岳先進專注于SiC碳化硅襯底領域，在碳化硅襯底制備技術、產(chǎn)品、市場和品牌等方面已具有領先優(yōu)勢。