財聯(lián)社2月20日電，據(jù)杭州光學精密機械研究所消息，杭州光機所孵育企業(yè)杭州富加鎵業(yè)在垂直布里奇曼（VB）法氧化鎵晶體生長領域取得重大突破，經(jīng)測試單晶質(zhì)量達到國際先進水平，現(xiàn)同步向市場推出晶體生長設備及工藝包。測試結(jié)果表明，使用富加鎵業(yè)設備生長出的4英寸VB晶體內(nèi)無孿晶，單晶襯底XRD半高全寬（FWHM）優(yōu)于50arcsec，與導模法制備的氧化鎵單晶襯底質(zhì)量相當，性能達到國際先進水平；襯底表面粗糙度（Ra）小于0.2nm，彎曲度（Bow）達到1.8μm，翹曲度（warp）達到9.3μm，總厚度偏差（TTV）<10.0μm，相關加工指標達到4英寸碳化硅襯底產(chǎn)品要求。VB法裝備的成功研制，標志著公司在技術創(chuàng)新上取得了重大突破，是公司于2024年5月在國際上率先突破導模法“一鍵長晶”技術后又一里程碑事件。資料顯示，富加鎵業(yè)為衢州發(fā)展(600208)參股的高科技投資企業(yè)。