【我國在太空成功驗證第三代半導體材料制造的功率器件】財聯社2月2日電，以碳化硅（SiC）為代表的第三代半導體材料是我國制造業轉型升級的驅動因素和重要保證。記者從中國科學院微電子研究所獲悉，我國在太空成功驗證了首款國產碳化硅（SiC）功率器件，第三代半導體材料有望牽引我國航天電源升級換代。據中國科學院微電子研究所劉新宇研究員介紹，功率器件是實現電能變換和控制的核心，被譽為“電力電子系統的心臟”，是最為基礎、應用最為廣泛的器件之一。隨著硅基功率器件的性能逼近極限，以碳化硅（SiC）為代表的第三代半導體材料，以其獨特優勢可滿足空間電源系統高能效、小型化、輕量化需求，對新一代航天技術發展具有重要戰略意義。

業內專家認為，我國在太空成功驗證第三代半導體材料制造的功率器件，標志著在以“克”為計量的空間載荷需求下，碳化硅（SiC）功率器件有望牽引空間電源系統的升級換代，為未來我國在探月工程、載人登月、深空探測等領域提供新一代功率器件。 (新華社)