財(cái)聯(lián)社6月23日電，中國科學(xué)院上海微系統(tǒng)所聯(lián)合寧波大學(xué)研究團(tuán)隊(duì)近日在《Advanced Functional Materials》發(fā)表研究，提出以芳綸膜為前驅(qū)體通過高溫石墨化工藝制備低缺陷、大晶粒、高取向的雙向高導(dǎo)熱石墨膜，在膜厚度達(dá)到40微米的情況下實(shí)現(xiàn)面內(nèi)熱導(dǎo)率Kin達(dá)到1754 W/m·K，面外熱導(dǎo)率Kout突破14.2 W/m·K。與傳統(tǒng)導(dǎo)熱膜相比，雙向高導(dǎo)熱石墨膜在面內(nèi)和面外熱導(dǎo)率及缺陷控制上均表現(xiàn)出顯著優(yōu)勢。在智能手機(jī)散熱模擬中，搭載雙向高導(dǎo)熱石墨膜的芯片表面最高溫度從52 ℃降至45 ℃；在2000 W/cm2熱流密度的高功率芯片散熱中，AGFs使芯片表面溫差從50 ℃降至9 ℃，實(shí)現(xiàn)快速溫度均勻化。該研究揭示了芳綸前驅(qū)體在石墨膜制備中的獨(dú)特優(yōu)勢，證明了氮摻雜與低氧含量前驅(qū)體可提升石墨膜結(jié)晶質(zhì)量和雙向?qū)崽匦裕潆p向?qū)嵝阅芡黄瓶蔀?G芯片、功率半導(dǎo)體等高功率器件熱管理提供關(guān)鍵材料和技術(shù)支撐。