《科創(chuàng)板日報》5月29日訊（記者 郭輝） 5月27日上午10點，中微公司舉行2024年度暨2025年第一季度業(yè)績說明會。

會后，中微公司董事長、總經理尹志堯接受了投資者提問及媒體專訪，對中微公司未來5到10年的產品戰(zhàn)略、人才團隊建設及接班人培養(yǎng)、產業(yè)突破封鎖路徑及前景等話題進行了解答。

中微公司董事長、總經理尹志堯

聚焦主業(yè)：刻蝕、薄膜設備訂單快速起量

等離子體刻蝕設備和薄膜沉積設備是除了光刻機以外非常重要、也是市場空間廣闊的關鍵設備。 “這是因為刻蝕需要幾百種不同材料，精雕細琢刻成各種不同形狀，CCP（高能等離子體刻蝕機）跟ICP（低能等離子體刻蝕機）設備加起來大概有300多種不同的應用。”

“尤其是在芯片工藝從2D到3D發(fā)展，以及10nm以下的制程升級，刻蝕跟薄膜的應用總量跟步驟數(shù)大大增加，近年市場體量的增長很快。”中微公司董事長、總經理尹志堯在5月27日舉行的業(yè)績說明會上介紹稱。

從2019年至2024年，中微公司的等離子體刻蝕設備收入以年均超過50%的速度快速成長。其中，中微公司CCP設備做了20年、ICP不到10年，但ICP設備近兩年連續(xù)以超過100%的速度實現(xiàn)增長，二者的訂單體量如今已經十分接近。

在過去的20年間，中微公司共計開發(fā)了3代、18款刻蝕機，產品開發(fā)節(jié)奏不斷加快，并且應用于主流客戶及產品市場。

中微公司在業(yè)績說明會上展示的刻蝕機產品序列

尹志堯表示，“可以很自豪地講，在等離子體刻蝕領域，我們基本可以全面覆蓋（不同應用），包括成熟及先進邏輯器件、閃存、動態(tài)存儲器、特殊器件等，并且已經有95%到99%的應用都有了批量生產的數(shù)據(jù)或客戶認證的數(shù)據(jù)。”

工藝精度上，中微公司ICP刻蝕機Twin-star兩臺的加工精度已經進入皮米數(shù)量級，達到100皮米以下水平；雙臺刻蝕機實現(xiàn)原子、亞原子水平刻蝕控制，達到全球先進水平。目前業(yè)內量產所用刻蝕機的深寬比在60:1，中微公司正在突破90到100:1的深孔刻蝕。

以我國先進存儲行業(yè)的應用為例，得益于高精度的設備工藝，中微公司產品為行業(yè)解決了其中5大最為關鍵的卡脖子設備。

除刻蝕設備外，中微公司自2010年開始不斷開始擴大在薄膜設備領域的開發(fā)應用。開發(fā)策略是從MOCVD切入，到近幾年開始集中力量開發(fā)LPCVD，接著做外延EPI設備、原子層沉積ALD設備，目前已經開始開發(fā)包括了PVD、ALD和LPCVD的大規(guī)模集成設備，并且也在利用新一代等離子體源開發(fā)PECVD設備。

據(jù)介紹，中微公司規(guī)劃了近40種導體薄膜沉積設備的開發(fā)。其中9種設備已經完成開發(fā)，6款實現(xiàn)量產運轉1年，今年計劃將完成7種設備開發(fā)。

“我們很快將會把國際對國內禁運的20多種薄膜設備開發(fā)完成，預計到2029年完成所有開發(fā)”。尹志堯如是稱。

中微公司設備產品在投入市場后迅速受到產業(yè)歡迎。據(jù)介紹，以LPCVD跟ALD鎢金屬沉積設備為例，近兩年實現(xiàn)快速放量，2023年訂單還只有1臺，2024年就發(fā)貨128臺，到2025年預計將大幅增長。

“雖然公司薄膜設備現(xiàn)在的銷售額還不到10億，但相信3年到5年之內，預計至少成長到公司現(xiàn)在刻蝕設備一半的規(guī)模，達到同等數(shù)量級。”

詳解平臺化布局 自研+外延同時發(fā)力

與國際領先的半導體設備公司發(fā)展戰(zhàn)略一樣，中微公司也在規(guī)劃平臺化布局。

據(jù)尹志堯介紹，目前中微可以覆蓋30%的集成電路設備。而在今后五到十年內，中微公司將與合作伙伴共同覆蓋60%的集成電路高端設備，包括刻蝕、薄膜及量檢測的全部設備，以及一部分濕法設備，成為平臺式的集團公司。

中微公司在業(yè)績說明會上展示的產品規(guī)劃

尹志堯表示， “中微公司從來都是有機生長（自研）跟外延擴張相結合。我們的基點在技術而不在并購，光靠并購做大的公司根基不穩(wěn)，核心還是要增加自己的本事。”

以量檢測設備為例，中微公司七、八年前就已經開始布局，其中電子束量檢測設備事關國內產業(yè)的先進制程工藝開發(fā)，也是一大短板。據(jù)介紹，目前國內已經有多家公司做電子束檢測，不過中微公司沒有選擇向外做并購，而是尋找全球該領域的頂級專家，自己組建團隊，計劃快速把電子束檢測設備快速做起來。

在集成電路設備之外，中微公司刻蝕薄膜技術，還可向外擴展至6大類的泛半導體微觀加工設備，包括平板顯示設備、太陽能電池設備、發(fā)光二極管設備、微機電系統(tǒng)設備（MEMS）、功率器件及其他、3D先進封裝及Chiplet。

據(jù)介紹，在寬禁帶化合物半導體外延設備市場，中微公司開發(fā)了多種MOCVD設備。其中，碳化硅功率器件外延設備目前已經進入生產驗證階段，氮化鎵Micro LED藍綠光設備已經被核準并進入生產，氮化鎵功率器件外延設備、砷化鎵紅黃光設備將在今年進入生產。

中微公司還在大平板設備方面進行了多年的研究開發(fā)。尹志堯表示，大平板設備體積較大，且設備開發(fā)成本昂貴，不適合中小規(guī)模的半導體設備公司開發(fā)，并且相關設備直至近兩年才由于國際供應形勢變化受到業(yè)內關注，算是從0起步。中微公司之所以選擇做大平板設備，在于其薄膜、沉積、量檢測技術環(huán)節(jié)都涉及新的技術工藝，包括玻璃基板、面板級先進封裝開發(fā)等產業(yè)趨勢以及智能玻璃等終端應用，“目前來看這一市場非常有前景”。

中微公司大平板顯示PECVD等離子體加強的化學薄膜設備用時15個月完成開發(fā)，樣機用時1年開始運行，用時3個月設備工藝達到LCD及OLED的量產指標。

在5月27日的業(yè)績說明會后，尹志堯接受了多家投資機構及媒體的采訪，分享了他在企業(yè)經營戰(zhàn)略當中的經驗和產業(yè)洞見。《科創(chuàng)板日報》整理了其中幾條：

1.AI技術正在半導體設備的研發(fā)中體現(xiàn)出價值，中微公司走在行業(yè)之前，現(xiàn)在有一個將近50人的團隊專門搞AI算法，并參與到半導體設備的研發(fā)設計中，形成了幾十個案例，加快了開發(fā)進展。

2.半導體設備未來不能只靠一家公司。目前國內比較成熟的半導體設備公司正在快速發(fā)展，因為產品門類很多，現(xiàn)在的情況來看行業(yè)并不算“內卷”，但即使沒有外力推動，未來產業(yè)的趨勢也是向頭部少數(shù)幾家企業(yè)集中，中微公司希望成為其中之一。

3.國內大部分半導體設備公司還沒有能力做自己的創(chuàng)新設計，開始學習的過程中模仿無可非議，但中微公司的產品從來都有自己的獨特設計。

4.如果沒有EUV，用DUV光刻機做到5nm沒有問題，只是需要更多刻蝕薄膜的雙重、多重曝光工藝環(huán)節(jié)，但到3nm能不能做還是個問號，對此我相信中國人的能力和志氣。

5.如果光刻機不能很快解決的話，我們刻蝕薄膜的主業(yè)可以做的事情就是結合多重曝光的技術，把制程做小，這也是我們的責任。

6.并購政策推動下，這兩年設備行業(yè)并購案例還不算多，可能在于政策還沒有落到實處。建議提出并購方案的上市企業(yè)，可根據(jù)標的公司經營規(guī)劃及業(yè)績完成情況進行階梯性的溢價收購，給予被并購公司在上市這條路徑的至少50%回報，而且需要監(jiān)管不追求商譽減值分析，才有更多公司愿意合起來干。