《科創板日報》24日訊，據韓國半導體業界近日透露，三星電子正在改進12納米級動態隨機存取存儲器（DRAM）“D1b”的設計。三星電子于2023年首次量產“D1b”，應用于顯卡DRAM和手機DRAM上。此次改變已生產一年多的DRAM設計是半導體行業中罕見的案例。